Teknolojik cihazların en temel yapıtaşı olan çiplerin içinde bulunan milyonlarca transistörün birbirine olan uzaklığı ve bu transistörlerin sayısı, çipin performansını doğrudan etkiliyor. Dolayısıyla teknoloji dünyası da çipteki transistörler arasındaki mesafeyi azaltmaya ve transistörlerin sayısını artırmaya devam ediyor.
Günümüzde transistörler arasındaki mesafe artık yalnızca 3 nanometreye (nm) kadar düşmeye başlamışken bugün Samsung’dan önemli bir açıklama geldi. Samsung’un yarı iletken üretim departmanı Foundry, yeni duyurusunda Güney Kore’deki Hwaseong fabrikasında 3 nm yarı iletken çiplerin üretilmeye başladığını açıkladı.
%23 daha iyi performans sunulacak:
Samsung, yeni 3 nm çiplerinde önemli bir değişikliğe de imza attı. Daha önce transistör mimarisi olarak FinFET’i kullanan şirket, artık GAA (Gate All Around) mimarisini benimseyeceğini paylaştı. Şirket, mimarideki bu değişimle güç verimliliğinin de artacağını bildirdi.
Samsung’un açıklamasında göre yeni 3 nm çipler, bir önceki nesil olan 5 nm çiplere göre %23 daha iyi performans ve %45 daha az güç tüketimi sunacak. Bununla birlikte şirket, ikinci nesil 3 nm çiplerinde de %50 güç verimliliği ve %30 daha iyi performans sunacağını paylaştı. Samsung, yeni üretim sürecini Siemens ve Cadence gibi tüm müşterilerine sunacak.
Samsung, 3 nm üretim sürecini hayata geçiren ilk çip üreticisi oldu.
