Dünyanın gelişmiş bellek teknolojilerinde önde gelen isimlerden olan Samsung Electronics, sektörün ilk 512 GB'lık eUFS 3.1 depolama birimlerinin seri üretimine başladığını duyurdu. eUFS 3.0'dan üç kat daha hızlı yazma hızına sahip olan depolama birimi, akıllı telefonlardaki saniyede 1 GB'lık yazma sınırını da geçmiş olacak.
Sektörün en hızlı depolama birimi hakkında yorum yapan Samsung Electronics Bellek Satış ve Pazarlama Genel Müdür Yardımcısı Cheol Choi, "Kullanıcılar, en hızlı mobil depolama birimini tanıtmamızla birlikte standart hafıza kartlarında yaşadığı depolama hızı sorunlarından kurtulmuş olacak. Yeni eUFS 3.1, küresel akıllı telefon üreticilerinin ihtiyaçlarına karşı olan sürekli bağlılığımızı ve sürekli artan talebe karşı olan desteğimizi gösteriyor" ifadelerini kullandı.
Önceki hızın neredeyse üç katı
Samsung'un yeni depolama birimi, 1200 MB/sn'lik bir hızla amiral gemisi telefon kullanıcıları için çığır açacak bir özellik olacak. microSD kartlarda bulunan 90 MB/sn hızının on katından daha hızlı bir yazma hızı sunan eUFS 3.1, SATA-temelli PC'lerde bulunan 540 MB/sn'lik hızdan da neredeyse üç kat daha hızlı bir şekilde yazma işlemini gerçekleştiriyor.
Rastgele erişim performansı değerlendirildiği zaman 512 GB'lık eUFS 3.1 işlemlerin yaygın şekilde kullanılan UFS 3.0'dan %60 oranında hızlı olduğu biliniyor. Bu da okuma işlemlerinde saniyede 100.000 girdi/çıktı, yazma işlemlerindeyse saniyede 70.000 girdi/çıktı anlamına geliyor. Tüm bunların yanı sıra Samsung'un mevcut depolama birimlerindeki yazma hızlarını ise aşağıdaki tabloda görebilirsiniz:
Samsung depolama birimlerindeki yazma/okuma hızları
(Read: Okuma – Write: Yazma – IOPS: Saniye başına girdi çıktı işlemi)
Samsung, 150 MP Nanocell Kamera Üzerine Çalışıyor
Samsung, yaptığı açıklamalarda bu işlemcilerin bu sene için amiral gemilerinde kullanılacağını bildirdi. Güney Koreli teknoloji devi, 512 GB'lık depolama seçeneğinin yanı sıra 256 GB ve 128 GB'lık seçeneklerin de bu sene içerisinde kullanıcıya sunulacak telefonlar içerisinde bulunacağını ekledi.
